据悉，成功大学晶体研究中心为目前中国台湾唯一拥有超高温（2300℃以上）大尺寸碳化硅（SiC）晶体生长炉的学术机构，未来将与全球产业伙伴合作，加速技术转移，推动碳化硅及氧化镓（Ga₂O₃）材料于半导体、光学、雷射、医疗等领域的应用，强化中国台湾在全球 ...

据专利摘要显示，该设备通过在生长炉顶部安装晶体安装架，并在其上配置多个旋转电机和石英棒，实现了在同一炉腔内同时生长多个晶体的目标。这一设计不仅大幅提高了晶体产量，还显著提升了晶体生长炉的利用效率。传统的晶体生长设备往往只能逐个进行晶体培养，而青岛海泰光电的创新设备则通过多晶同时生长的技术，大幅缩短了生产周期，降低了生产成本。

北京市科协、北京科技记者编辑协会推出“首都科技人”系列宣传，旨在展示首都科技工作者在聚焦国家重大需求和“四个面向”时矢志不移、勇攀高峰的先进事迹和优秀典型。作为我国在先进材料领域深耕多年的科技工作者，中国科学院物理研究所先进材料与结构分析实验室研究员 ...

“白云石难题”是困扰科学家近 200 年的古怪现象；在尝试破解这一长期存在的难题时，研究人员报告称，白云石晶体需要在不同饱和状态间循环 ...

晶体生长：通常采用物理气相传输法（PVT法）生长碳化硅晶体。 感应将坩埚加热至2,000℃以上，控制籽晶处温度略低于下部微粉处，在坩埚内形成轴向温度梯度。碳化硅微粉在高温下升华形成 ...

PID及运动参数可随晶体形状过渡变化，屏幕上数据交叉显示提供生长过程中数据综合分析工具。 加热电源：中频感应加热 加热**输出功率：30KW 真空系统：机械泵抽真空 水冷系统：炉腔、加热 ...

“蘑菇”生长结构示意图 为探究这些奇特晶体生长现象的发生机制，研究团队采用原位聚焦离子束制样方法从嫦娥五号月壤角砾岩碎屑中提取样品 ...

碳纳米管是碳材料家族（包括金刚石、石墨烯、足球烯等）中的一员明星，于1991年首次被实验发现。碳纳米管可以看成是由石墨烯卷曲而成的一维管子，直径仅有1纳米，是目前已知最细的材料。这种材料的电子迁移率远超传统硅基材料，为制造更快、更小、更节能的晶体管提 ...

同手性碳纳米管范德华晶体！单壁碳纳米管(SWNT)具有超高的载流子迁移率、优异的热导率和纳米级尺寸，是下一代电子材料的有希望的候选材料。对于SWNT在集成电路中的应用，拥有高管密度、排列整齐、纯半导体性的SWNT阵列至关重要。在此，上海交通大学史志文 ...

近日，萧山科技企业镓仁半导体正式发布全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸单晶。这一成果，也标志着镓仁半导体刷新了氧化镓单晶尺寸的全球纪录，成为国际上首家掌握8英寸氧化镓单晶生长技术的企业。

根据AI大模型测算晶升股份后市走势。短期趋势看，连续3日被主力资金减仓。主力没有控盘。中期趋势方面，上方有一定套牢筹码积压。近期筹码减仓，但减仓程度减缓。舆情分析来看，目前市场情绪悲观。

“蘑菇”生长结构示意图 为探究这些奇特晶体生长现象的发生机制，研究团队采用原位聚焦离子束制样方法从嫦娥五号月壤角砾岩碎屑中提取样品 ...