北京市科协、北京科技记者编辑协会推出“首都科技人”系列宣传，旨在展示首都科技工作者在聚焦国家重大需求和“四个面向”时矢志不移、勇攀高峰的先进事迹和优秀典型。作为我国在先进材料领域深耕多年的科技工作者，中国科学院物理研究所先进材料与结构分析实验室研究员 ...

据专利摘要显示，该设备通过在生长炉顶部安装晶体安装架，并在其上配置多个旋转电机和石英棒，实现了在同一炉腔内同时生长多个晶体的目标。这一设计不仅大幅提高了晶体产量，还显著提升了晶体生长炉的利用效率。传统的晶体生长设备往往只能逐个进行晶体培养，而青岛海泰光电的创新设备则通过多晶同时生长的技术，大幅缩短了生产周期，降低了生产成本。

据悉，成功大学晶体研究中心为目前中国台湾唯一拥有超高温（2300℃以上）大尺寸碳化硅（SiC）晶体生长炉的学术机构，未来将与全球产业伙伴合作，加速技术转移，推动碳化硅及氧化镓（Ga₂O₃）材料于半导体、光学、雷射、医疗等领域的应用，强化中国台湾在全球 ...

通过二维熔融前驱体限域生长实现快速且仅沿二维方向的晶体生长，成功生长出尺寸高达1.5 cm的单层MoS?单晶晶畴，远超已报道的最大单晶晶畴尺寸。该技术基于“液-液界面”上的“固-液-固结晶”过程，极大地降低了衬底表面的形核密度，促进晶体仅沿二维面内 ...

“白云石难题”是困扰科学家近 200 年的古怪现象；在尝试破解这一长期存在的难题时，研究人员报告称，白云石晶体需要在不同饱和状态间循环 ...

晶体生长：通常采用物理气相传输法（PVT法）生长碳化硅晶体。 感应将坩埚加热至2,000℃以上，控制籽晶处温度略低于下部微粉处，在坩埚内形成轴向温度梯度。碳化硅微粉在高温下升华形成气相的Si2C、SiC2、Si等物质，在温度梯度驱动下到达温度较低的籽晶处 ...

“蘑菇”生长结构示意图 为探究这些奇特晶体生长现象的发生机制，研究团队采用原位聚焦离子束制样方法从嫦娥五号月壤角砾岩碎屑中提取样品 ...

PID及运动参数可随晶体形状过渡变化，屏幕上数据交叉显示提供生长过程中数据综合分析工具。 加热电源：中频感应加热 加热**输出功率：30KW 真空系统：机械泵抽真空 水冷系统：炉腔、加热线圈流量控制循环冷却。 本设备是公司新研发的用于钽酸锂（LT ...

碳纳米管是碳材料家族（包括金刚石、石墨烯、足球烯等）中的一员明星，于1991年首次被实验发现。碳纳米管可以看成是由石墨烯卷曲而成的一维管子，直径仅有1纳米，是目前已知最细的材料。这种材料的电子迁移率远超传统硅基材料，为制造更快、更小、更节能的晶体管提 ...

“蘑菇”生长结构示意图 为探究这些奇特晶体生长现象的发生机制，研究团队采用原位聚焦离子束制样方法从嫦娥五号月壤角砾岩碎屑中提取样品 ...

但是，GaN 器件在实际应用中也面临着诸多挑战。例如，其晶体生长过程复杂，需要高温高压等苛刻条件，导致缺陷密度较高；离子掺杂工艺难度大，成本高昂；并且，目前对于垂直 GaN 晶体管的一些关键性能，如雪崩能力和开关特性等，还缺乏深入的理解和有效 ...