芯片制造领域，台积电、三星是行业内的两大翘楚，都能拿到ASML最先进的EUV光刻机，都能生产全球最先进的3nm制造工艺。不过两者相比，不管是产能、出货量还是工艺良品率，台积电都更胜一筹。

在全球半导体行业一路向前的今天，日本先进半导体制造商Rapidus与IBM的合作再次成为焦点。2024年12月11日至13日，Rapidus将在日本东京举行的SEMICON Japan 2024展会上揭示其最新成果——2nm ...

在全球半导体行业持续竞争升级的背景下，三星电子日前宣布在美国得克萨斯州泰勒市建设一座先进的半导体芯片工厂，计划于2026年开始生产2纳米和3纳米芯片。这一战略布局不仅是三星为抑制台积电垄断市场的回应，也显示出其在全球技术竞争中的决心与野心。据悉，三星在这一项目上投资了数十亿美元，并且获得了美国政府的47.4亿美元补贴，这标志着美国政府对于增强国内半导体生产能力的重视和支持。

日本创业公司半导体公司Rapidus近期似乎有很大进展，《Nikkei Asia》报道该公司将于今年4月试产，并计划在6月就可产出2纳米的芯片产品原型。 尽管已有越来越多媒体探讨Rapidus会不会成功，不过，笔者认为，这件事有需要更深入的探究与说明 ...

2月6日消息，日本先进半导体制造商Rapidus社长小池淳义近日在演讲会上宣布，公司首座晶圆厂IIM-1的建设进展顺利，已经安装了超过200台设备。他进一步透露，Rapidus计划在2025年4月1日启动2nm GAA制程试产。

Arm 控股有限公司（纳斯达克股票代码：ARM，以下简称“Arm”）宣布其芯粒系统架构 (CSA) 正式推出首个公开规范，进一步推动芯粒技术的标准化，并减少行业的碎片化。目前，已有超过60家行业领先企业，如ADTechnology、Alphawave Semi、AMI、楷登电子、云豹智能、Kalray、Rebellions、西门子和新思科技等，积极参与了 CSA ...

且苹果同样将在 M5 系列芯片中引入相关工艺占用产能，因此联发科出于成本和产能考虑，选择 N3P 工艺制造天玑 9500。 据介绍，台积电的 2nm 工艺引入了一种新的晶体管结构 —— 环绕栅极（IT之家注：Gate-All-Around, GAA）。GAA 晶体管通过垂直排列的水平纳米片 ...

然而，三星仍在积极研发更先进的芯片制程，其中就包括 2nm 制程。 据 Business Korea 报道，三星 Foundry 正致力于下一代环绕栅极晶体管 (GAA) 技术的 ...

三星放弃Exynos 2500自研芯片，高通狂揽20亿美元。 据报道，三星 Galaxy S25 系列手机全系将采用骁龙 8 至尊版 for Galaxy 芯片，包括Galaxy S25、S25 Plus、S25 Ultra 和 Galaxy S25 ...

据传三星电子正在考虑委托台积电生产Exynos芯片。然而，最新消息表明台积电已经拒绝了三星的代工请求。 据韩媒报道，去年12月曾有高管表示第2代3nm GAA（Gate-All-Around）工艺已进入稳定阶段，并称系统SLI和代工厂事业部之间已解决“互相推诿责任”的问题，开始合作推进新芯片的商用。虽然报道中未提及具体的良率比例，但据悉三星已经解决了3纳米工艺的良率问题，并为Exynos 2500 ...

IT之家 1 月 27 日消息，科技媒体 WccfTech 昨日（1 月 26 日）发布博文，报道称由于三星 Galaxy S25 系列手机全系采用骁龙 8 至尊版 for Galaxy 芯片，预估高通公司获得 20 亿美元（IT之家备注：当前约 ...

然而，即便如此，高昂的研发和生产成本仍然可能影响其盈利能力。 此外，2纳米芯片的晶体管结构从FinFET转向GAA（全环绕栅极场效应晶体管），这增加了复杂性，并且在实现多阈值电压时也面临挑战。这些技术难题使得Rapidus在短期内实现大规模量产面临巨大 ...